文章目录
- 前言
- 1、RAM分类
- 2、SDRAM工作流程
- 2.1 工作流程
- 2.2 预充电
- 2.3 自刷新
- 3、SDRAM指令集
- 3.1 模式寄存器控制信号及时序
- 3.2 写指令控制信号及时序
- 3.3 读指令控制信号及时序
- 3.4 读事例解读
- 3.5 写事例解读
- 二、DDR3信号
- 总结
前言
DRAM中，SDRAM以及DDR3学习
1、RAM分类
SRAM：只要持续通电，数据就永久保存，不需要刷新，靠电路稳态存 0/1，断电数据丢失。
DRAM：用电容充放电代表 0/1，电容会漏电，必须周期性刷新，不刷新数据会丢失，断电同样丢失数据。
2、SDRAM工作流程
2.1 工作流程
| 上电初始化 | 静默200us | bank预充电 | 8个自刷新 | 模式寄存器设置 |
|---|---|---|---|---|
| 正常工作 | 行激活 | 列激活 | 突发读/写 | 预充电 |
2.2 预充电
在读写操作后，电容电荷会缓慢减少，因此每次读写操作后执行自动充电，称为预充电。
2.3 自刷新
那如果长时间不写/读呢，电容电荷也会缓慢减少，所以会有一个定时刷新的操作，称为自刷新。
3、SDRAM指令集
各种指令都是通过如下引脚配合完成
3.1 模式寄存器控制信号及时序
3.2 写指令控制信号及时序
3.3 读指令控制信号及时序
3.4 读事例解读
3.5 写事例解读
二、DDR3信号
本次使用的是镁光MT41J256M16HA-093型号，MT41J系列，容量为256×16(数据宽度) = 4096Mb，速度等级为093。
由于速度等级为093，故核心时钟(mig核给ddrt提供的时钟)为1066M，数据速率为2132M，用这个的好处是可以降频使用，只要不超上限即可。
核时钟根据速度等级计算，用户时钟为核时钟的1/4，由于训练链路用了Idelay，故有个参考时钟。
总结
根据SDR了解DDR的mig核控制
