参考文献：Performance Comparison of Standalone 4H-SiC JFETs and Cascode Devices at Cryogenic Temperature
在双脉冲测试中，器件开关波形受到功率回路寄生电感、续流二极管结电容、器件非线性结电容、封装键合线和内部栅极网络的共同影响。开通过程中，漏极电流上升在漏极和源极寄生电感上产生 (Ldi/dt) 压降，使外部测得的VDS在实际米勒平台之前出现下降；关断过程中，负载电流在DUT输出电容和续流二极管电容之间分流，改变VDS上升速度和IDS下降时刻。
实测开关波形图
理想开关波形图
可以发现，理想开启波形，在IDS到达峰值时，VDS才开始下降。而理想关断在VDS达到峰值时，IDS才开始下降。
而实际测试过程中发现，在开启过程中，在IDS到达峰值前，VDS已经开始下降。在关断过程中，在VDS到达峰值前，IDS也已经开始下降。
理想波形和实测波形的区别在于电路中的寄生参数影响
室温JFET开通过程中t2t_2t2到t3t_3t3的现象：在外部栅压到达米勒平台之前，测得的VDS已经开始下降
UDS=UDC−(LD+LS)diDdt−RstrayiD U_{DS}=U_{DC}-(L_D+L_S)\frac{di_D}{dt}-R_{\mathrm{stray}}i_DUDS=UDC−(LD+LS)dtdiD−RstrayiD
这意味着在沟道电流上升阶段，即使器件还没有进入主要VDS下降的米勒阶段，外部测得的VDS也可能因为功率回路寄生压降而下降
开通初期：
- 栅极电压上升，沟道开始建立；
- IDS开始上升；
- 快速变化的IDS在LD+LSL_D+L_SLD+LS上产生：ΔVL=(LD+LS)diDdt\Delta V_L=(L_D+L_S)\frac{di_D}{dt}ΔVL=(LD+LS)dtdiD
- 电流还会在RstrayR_{\mathrm{stray}}Rstray上产生：ΔVR=RstrayiD\Delta V_R=R_{\mathrm{stray}}i_DΔVR=RstrayiD
- 因此外部探头测得：VDS<UDCV_{DS}<U_{DC}VDS<UDC
- 这部分VDS下降不是完全由器件Coss放电或沟道进入米勒平台造成的，而是有功率回路寄生压降贡献
双脉冲第二个脉冲开通时，负载电感LloadL_{\mathrm{load}}Lload保证负载电流在快速开关过程中近似恒定，并使DUT开通后的母线电压主要转移到负载电感两端。在DUT电流由续流二极管支路向DUT支路换流的初始阶段，负载电感总电流变化很小，而DUT电流快速上升，因此LD+LSL_D+L_SLD+LS上的LdiD/dtLdi_D/dtLdiD/dt压降和RstrayiDR_{\mathrm{stray}}i_DRstrayiD压降会使外部测得的VDS在栅压进入米勒平台前提前下降。进入主要米勒阶段后，VDS的完整下降则与负载电感两端电压由近0 V建立到接近母线电压相对应。因此，米勒平台前的小幅VDS预下降主要反映功率回路寄生压降，而VDS由母线电压降至导通压降的主过程则同时受到负载电感、电流换流、器件电容和沟道动态的共同影响。
分析双脉冲测试的开通过程时，需要区分两类电感：
- LloadL_{\mathrm{load}}Lload：人为设置的储能负载电感，主要决定测试电流，并在DUT导通后承担大部分母线电压；
- LDL_DLD、LSL_SLS：DUT漏极、源极及连接回路的寄生电感，主要在快速换流阶段产生额外压降、过冲和振铃。
在双脉冲换流过程中，负载电感电流与DUT电流并不始终相等：
iL≠iD i_L \neq i_DiL=iD
特别是在第二个脉冲开通初期，负载电感电流近似恒定，而DUT电流由0快速上升，续流二极管电流则由负载电流下降至0。
双脉冲开通过程中，两类电感的作用可以概括为：
Lload决定测试电流及主电压转移 \boxed{ L_{\mathrm{load}} \text{决定测试电流及主电压转移} }Lload决定测试电流及主电压转移
LD+LS决定快速开关沿上的寄生压降、过冲和振铃 \boxed{ L_D+L_S \text{决定快速开关沿上的寄生压降、过冲和振铃} }LD+LS决定快速开关沿上的寄生压降、过冲和振铃
因此：
- 米勒平台前的小幅VDS预下降，主要来自(LD+LS)diD/dt(L_D+L_S)di_D/dt(LD+LS)diD/dt和RstrayiDR_{\mathrm{stray}}i_DRstrayiD；
- VDS由母线电压下降至导通压降的主过程，则与负载电感电压建立、电流换流、器件电容和沟道动态共同相关。
室温JFET关断过程中t0t_0t0到t1t_1t1的现象：在 JFET 的关断过程中，当栅极电压达到米勒平台时，漏—源极电压VDSV_{DS}VDS开始上升。理想情况下，负载电流ILI_LIL用于给CDSC_{DS}CDS和CGDC_{GD}CGD充电。然而，部分ILI_LIL会被分流，用于对CDC_DCD放电，从而减小了对CDSC_{DS}CDS和CGDC_{GD}CGD充电的有效电流。
为验证该理论，对电路进行仿真:
用于续流的二极管，下侧测电流的电流探头命名为Icapdown，上侧测电流的电流探头命名为Icapup
测负载电感的电流探头命名为Iinductor
LsL_sLs上侧的电流探头命名为Ids
负载电感与电压之间的电流压头命名为Idd
运行结果如下
可以发现Ids在Vds上升到最大值之后开始快速下降，但是在Vds上升过程中，Ids已经开始下降
Ids的关断过程本应和开启过程对称，在栅压的米勒平台结束后才开始下降，米勒平台这个时间段也是Vds快速上升的时候
但是Ids在米勒平台期间就出现了反常的降低
这归因于二极管中寄生电容的影响，在关断的时候，负载电感两端的电压已经下降，但是二极管电容两端的电压没有突变，大于电感两端的电压，所以开始放电。电容的极性为上正下负，从Icapup流出，从Icapdown流入，直至下管完全关断，电流在电感和二极管之间进行续流
标记：双脉冲-开关过程深夜讨论（PIC宿舍），与师弟进行交流讨论（住处）
