👉06-1调试与工程专题：半导体三剑客“连环炸”全家桶！当二极管/BJT/MOSFET集体发飙时的终极救援指南
咱们的电子科普江湖终于杀到最硬核的关卡——半导体三剑客：二极管（Diode）、晶体管（BJT）和场效应管（MOSFET为主，JFET偶尔客串）。这仨家伙可不是被动元件的“老实孩子”，它们是有源器件里的“武林高手”：二极管像冷酷的“单向门卫”，BJT像贪吃的“电流放大狂魔”，MOSFET像傲娇的“功率霸王”。理论上它们能整流、放大、开关、驱动全世界，但现实调试时？一言不合就集体发飙：炸裂、发烫、振荡、雪崩，搞得电路板烟雾缭绕，工程师怀疑人生。
为什么打包成一个大专题？因为它们天生爱“相爱相杀”！二极管保护MOSFET却反向恢复拖后腿，BJT驱动MOSFET却电流不够栅极振铃，MOSFET开关快了又把二极管尖峰打穿……单独拆开讲，读者看完还得自己拼图；打包讲，才能露出工程真相：半导体调试从来不是单打独斗，而是“团战连环坑”。这个全家桶一次性把最常见的翻车现场打包伺候，全是工程师们用无数炸管、深夜波形、客户退货换来的血泪干货。看完后，你再撸放大器、H桥、开关电源、音频功放，至少能少炸10个管子、少掉30根头发（保底少掉15根，算我输）。
全家桶一：击穿与雪崩的“电压暗杀”——一瞬间就把管子“电”死的无声杀手
半导体最怕“电压刺客”：正常工作好好的，突然一个尖峰过来，啪！击穿、雪崩、永别。
- 现象：MOSFET/BJT突然短路冒烟，二极管反向击穿漏电，示波器抓到上百伏尖峰。
- 根源：二极管反向耐压不够、MOSFET雪崩能量超标（dv/dt太快）、BJT二次击穿、寄生电感尖峰（尤其开关电源、电机感性负载）。
- 三剑客专杀：
- 二极管：普通整流管反向恢复慢，引起MOS开关尖峰。
