干光通信器件这行的人，看到“10.7 Gb/s”、“反射式电吸收调制器”、“半导体光放大器”、“单片集成”这几个词凑在一起，第一反应应该是：这是想把WDM-PON里最棘手的ONU无色化问题，用一颗芯片给解决掉。
这个方向我断断续续关注了好几年。做PON系统的人都知道，OLT侧什么成本都好谈，ONU侧是成本敏感的重灾区，而“无色”恰恰是压垮ONU成本和技术复杂度的那根稻草。R-EAM和SOA单片集成，走的是一条看起来绕远、实则把调制和放大解耦的路线——它用反射式结构把光路折叠起来，用EAM干高频调制，用SOA干增益补偿，最后在InP衬底上把两个器件长在一起。这篇文章会把这条技术路线的来龙去脉、设计细节、测试思路和工程坑都拆开讲清楚，适合正在做PON光模块、对无色ONU方案感兴趣的工程师，以及想了解光子集成器件为什么这么难做的人。
1. 这个项目到底在解决什么问题
1.1 “无色”到底是色还是无色
WDM-PON最大的卖点是给每个用户一个独立波长，天然隔离、带宽充足、安全性好。但这里藏着一个让运营商头疼的问题：如果每个ONU里的激光器都是出厂定死的固定波长，那就意味着要准备几十种不同波长的模块，库存管理繁琐不说，一旦某个用户侧模块故障，运维人员必须带着对应波长的备件上门，效率极低。
于是大家提出了“无色（colorless）”的概念。所谓无色，不是没有颜色，而是ONU模块本身不预设工作波长，实际工作在哪个波长，由系统分配或者由OLT送来的光决定。这样一来，所有ONU统一规格，一个物料号搞定全网部署，备件管理也简单了。道理大家都懂，但“怎么做出来”才是地狱难度。
业界摸索出了几条路线：波长可调激光器、注入锁定FP激光器、反射式SOA（RSOA）调制，以及本篇文章的主角——R-EAM配合SOA。波长可调激光器性能好但贵，注入锁定对波长对准和功率稳定性要求苛刻，RSOA结构简单但调制速率被载流子寿命卡死，做到2.5G都费劲。而把反射式EAM和SOA单片集成，等于把调制和放大两个职能分开，让EAM承担高频调制，SOA专门负责增益，理论上既能跑高速，又能补偿链路损耗，是当时非常有前途的无色ONU解决方案。
1.2 为什么ONU非要做成“无色”的
从系统角度看，WDM-PON的规划里，OLT侧设备集中在局端，波长管理在局端一并完成。如果ONU也具备波长选择性或者可调谐性，反而会造成“两端都可调”的系统复杂度叠加。更合理的分工是：OLT承担所有的波长管理职责，ONU做成透明、宽谱响应的“哑终端”。
这种“哑终端”实现起来有一个关键技巧——用种子光注入。OLT发送一束连续光（或者携带下行数据的信号光），经过光纤送到ONU，ONU里的反射式调制器件对这束光进行上行数据调制，然后反射回OLT。从OLT的角度看，上行信号光和下行种子光共享同一根光纤，靠环形器或波分器件分离方向。ONU自身发光和定波长的工作全部被省略了，芯片只需对接收到的光做幅度调制和反射就行。
R-EAM和SOA的组合正好匹配这个工作机制。EAM是电动吸收调制器，给反向偏压就吸光，不给偏压就透光，调制速率可以做到几十GHz；SOA则对往返的光提供增益，既弥补EAM的插入损耗，又补偿光纤传输损耗。两个器件都工作在“种子光”给定的波长上，不需要额外调谐，这就是“无色”的物理基础。
1.3 10.7 Gb/s这个速率是怎么定出来的
标题里这个10.7 Gb/s，初看很奇怪，为什么不是标准的10G或者10.3125G？这里头有个行业背景：在电信传输领域，10G以太网用的是10.3125 Gb/s，OTN标准中带FEC的速率是11.09 Gb/s左右，而10.7 Gb/s是另一个常用档位——它是在有效用户速率大约10 Gb/s的基础上，加入了一定比例的前向纠错（FEC）开销之后形成的线路速率。
WDM-PON系统中，上行方向往往是功率预算最紧张的方向。ONU受限于成本和体积，发射光功率不可能像OLT那么充裕，把光功率往接收机的灵敏度极限上推，这时候光链路的误码率就会成为瓶颈。引入FEC之后，接收机可以容忍更高的原始误码，等效提高了系统功率预算。代价是线路速率要留出FEC的开销裕量，10.7 Gb/s就是在这个背景下被选择的一个平衡点——既有足够的净用户带宽，又给FEC留了足够的升级余地。
所以，这个速度不是拍脑袋定的，而是跟系统级的FEC方案、功率预算分配、收发机芯片能力都绑定的。做器件的如果评估自己能不能打到10.7G，实际上是在问：芯片的3dB带宽、消光比、噪声特性，能不能在带FEC的条件下满足系统误码率要求。
2. 为什么是R-EAM和SOA这对组合
2.1 电吸收调制器的底子
电吸收调制器（EAM）的核心机理是量子限制斯塔克效应（QCSE）。量子阱结构里，电子和空穴被囚禁在阱内形成激子吸收峰，当施加外加电场时，能级发生位移，吸收边会向长波长方向红移。这意味着在特定波长上，器件的吸收系数会随外加偏压发生显著变化——偏压高，吸收强，光被吃掉；偏压低，吸收弱，光透过去。
把这个效应用在调制上，就是一个电压控制光强的“光开关”。EAM的调制速度很快，因为电吸收本质上是一个皮秒量级的物理过程，响应速度不太受载流子寿命限制，所以做到10G甚至40G都没有问题。这一点跟RSOA那种靠增益饱和实现调制、被载流子恢复时间拖累的机理完全不同，也是R-EAM方案能在速率上跑上去的根本原因。
EAM也有自己的天生毛病。首先，它对波长比较敏感，吸收边只在很窄的波段内变化剧烈，选点稍微偏一点，调制效率就骤降。其次，它的插入损耗不低，即使在不加偏压的“开”状态，也有几个dB的残余吸收。放在光链路里，这个损耗直接吃掉功率预算，所以必须紧跟一个放大器来补偿——这就是SOA存在的第一个理由。
2.2 反射式结构带来的两个隐藏好处
反射式设计的第一个好处，是光在芯片里走了一个来回。入射光从端面进入，经过SOA放大、EAM调制，达到反射镜后转头返回，再次经过EAM和SOA输出。这意味着光两次通过EAM，调制深度近似翻倍，消光比可以做上去；同时两次经过SOA，获得的增益也翻倍。同样的有源区长度，反射式相比透射式的等效增益和处理能力几乎翻了一番。
第二个好处，也是系统上更重要的：它天然适配“上下行共用一根光纤”的ONU光路拓扑。ONU端只需要一个端口进来、一个端口出去，用环形器或者波分复用元件在外部把上下行分开，芯片本身不用做两个方向的光路分离，结构大大简化。对于无色WDM-PON来说，种子光和上行信号本来就要共享一根光纤，反射式器件就是为此量身定做的。
不过这个往返设计也埋了一个雷：光子在腔内走两遍，SOA的增益又很大，稍不留神就成了一个微型激光器。输入端面必须做高质量的增透膜，反射率要压到0.1%以下，否则芯片内部的残余反射和端面反射之间形成法布里-珀罗腔，增益一上来就开始起振，光谱上会出现非常难看的波纹，误码率直接恶化。这个我在后面工程问题部分再展开。
2.3 SOA：既要补损耗，也要扛噪声
SOA（半导体光放大器）在原理上跟激光器差不多，都是正向偏置PN结的粒子数反转和受激辐射放大，区别在于SOA没有谐振腔，光进去一次就被放大一次出来。作为放大器，SOA非常的是“单程增益”和“饱和输出功率”这两个指标。单程增益决定了它能补回多少损耗，饱和输出功率则决定了在大信号下会不会卡脖子。
在R-EAM+SOA配置里，SOA要同时干几件事：补偿EAM的插入损耗、补偿反射镜和波导的损耗、补偿链路中的光纤损耗、以及与OLT接收机的灵敏度做功率匹配。通俗地说，OLT发来的种子光功率可能只有-10 dBm量级，经过光纤损耗和芯片内部损耗后往往已经是负十几个dBm，没有SOA放大，反射回去之后OLT根本收不到。加了SOA，往返增益一上来，上行输出功率才有保障。
但SOA是个噪声放大器，放大的同时不可避免地带入自发辐射（ASE）噪声。ASE是一个宽带噪声基底，信噪比会被它拉低。尤其当SOA增益调得很大时，ASE也随之增大，反射光里信号和ASE混在一起，OLT接收机做判决时，噪声会直接影响误码率。这里就需要平衡：增益不能一味调大，要综合考虑信号光功率、ASE噪声、接收机灵敏度三者，找到一个最优偏置点。这个平衡在系统联调时特别有讲究。
2.4 “单片集成”四个字的分量
器件的单打独斗其实并不稀奇，单个EAM、单个SOA都是非常成熟的产品，但把它们做在一个芯片上，难度是几何级上升的。单片集成（monolithic integration）的核心好处，网上能查到很多冠冕堂皇的说法，从工程角度讲最实在的三条：一是免去了分立器件之间的光纤耦合，省掉了耦合损耗和对准成本；二是可靠性提升，焊接点和光纤对准点越少，失效机制越少；三是体积和功耗大幅下降，这对ONU这种封装空间和散热条件都有限的场景至关重要。
难点在于，EAM和SOA虽然是近亲，但理想工作条件不一样。EAM需要量子阱的吸收边恰好落在种子光波长附近，偏置反偏几伏；SOA需要量子阱的增益峰落在同一波长附近，偏置正偏几百毫安。要让两种有源区在同一片InP衬底上各司其职，工艺上就要做出区隔。要么采用同一种量子阱结构、在折中条件下工作，牺牲部分性能；要么用butt-joint对接生长工艺，在芯片不同区域生长有区别的量子阱，让EAM区和SOA区各自最优。这个“分or合”的选择题，直接决定了芯片的性能上限和工艺复杂度，是单片集成的核心矛盾所在。
所以标题里那个“单片集成”不是修饰词，是整个项目最硬核的技术攻关点。
3. 芯片设计的关键点拆解
3.1 材料体系与外延结构怎么排
做这种有源光子集成芯片，材料体系目前最成熟的就是InP基，具体到有源区，常用InGaAsP/InGaAsP或者InGaAlAs/InAlAs的量子阱体系。量子阱的设计要同时考虑波长、增益、调制效率、温度特性四个维度，全都要落在目标工作波段内。
如果采用“同一量子阱方案”，外延时MQW整体一次长完，后续靠刻蚀和隔离工艺区分SOA区和EAM区。这个方案的外延工艺最简单、均匀性好，但它逼着你做妥协——量子阱周期数、阱宽、势垒高度、应变大小，这些参数对EAM和SOA的最优解是不同的。比如EAM希望吸收边更靠近工作波长、吸收边对电场变化更敏感，而SOA希望增益峰略偏短波长、增益带宽更大。在一个结构里同时满足两者，说要靠精细调谐，其实就是让两边都别太难受。很多研究组做出来的芯片，EAM消光比和SOA增益都能看，但都不是各自的极限性能，就是这个原因。
追求性能的话，就得走butt-joint对接生长工艺。先在衬底一部分区域生长SOA的有源区，用掩膜保护；然后刻蚀掉EAM区域的有源层，再在刻蚀窗内选择性地二次外延EAM的量子阱结构。通过对接界面，两个有源区各取所需、互不拖累。代价是二次外延的界面质量非常考验设备水平和工艺经验，界面上一旦产生缺陷，就是载流子非辐射复合中心，性能和可靠性都会受到直接影响。所以butt-joint虽然性能上限高，但良率压力也大，做研究发文章是很漂亮，做成产品却要拼命跟良率和成本较劲。
3.2 几个关键结构参数
芯片的整体结构排布，通常是从输入端口开始，按“输入波导+SOA区+EAM区+反射镜”的次序排布。光进来先经过SOA放大，再进EAM调制，到端部反射镜原路返回。这个顺序不是随意定的——如果让光先过EAM再放大，EAM的吸收损耗会吃掉一小部分信号，SOA放大的是已经被调制过的信号，信噪比会更好。反过来，如果先放大再调制，EAM的插损会直接吃掉SOA获得的增益，来回一算，净增益不如前者。所以常见做法是SOA在靠输入端、EAM靠近反射镜，让调制发生在往返光路的后段，等效实现了“放大-调制-再放大”的级联。
几个主要结构参数需要重点权衡：
第一个是有源区长度。SOA长度选太长，增益是大了，但功耗也大，ASE噪声也随之增加；太短则增益不够，补偿不了损耗。R-EAM和SOA结合时，SOA单程增益做到15-20dB是比较合理的区间，对应的有源区长度通常在几百微米到一毫米上下。EAM的长度要跟它是单程还是往返配合着看，长度越长消光比越容易做高，但插入损耗和结电容也会变大，高频带宽就下来了。10.7G速率下，EAM总长度要控制在几百微米量级，结电容做到几皮法以下才有戏。
第二个是反射镜。最简单的做法是解理端面镀高反膜（HR coating），反射率可以做到95%以上，工艺成熟、成本低。但解理面无法跟其余部分一起在线检测，必须等芯片解理完毕才能测，反馈到工艺线上的周期比较长。片上集成DBR光栅可以晶圆级测试，但设计和对准要求更高，通常只在对光谱纯度有苛刻要求时才用。一般来说，研究阶段高反膜就够用了。
第三个是模式转换器（SSC）。InP波导的模场通常只有零点几个微米，而光纤的模场直径有9微米左右，直接耦合的话损耗会非常大。所以在输入端和反射镜附近，通常会集成一个锥形模式转换器，把光斑从芯片波导尺度逐步扩大到几个微米，把耦合损耗从3-4dB拉低到1dB以下。这个结构看起来不起眼，但对系统功率预算的贡献非常大，做无源波导和SSC的经验很大程度上决定了整片芯片的耦合效率。
3.3 工艺实现的核心步骤
整个芯片制造的核心步骤可以归结为“生长、刻蚀、镀膜、电极”四大部分，每部分都有一堆讲究。
外延生长阶段，确定好是单次MQW还是butt-joint之后，用MOCVD或者MBE设备完成有源区和波导层的外延生长。生长完成后的首要问题是器件间的电学隔离——SOA和EAM是两种偏置条件完全不同的器件，一个正偏一个反偏，它们必须在同一块芯片上做到物理隔离和电学隔离，否则偏置电流会串扰。常见做法是利用质子注入或者深沟槽刻蚀，在SOA和EAM之间做出高阻隔离区，隔离电阻至少要做到几十千欧以上，才能保证反向偏置的EAM不被SOA的注入电流带着跑。
紧接着是台面刻蚀。对脊波导结构来说，把有源区旁边刻下去，留下一条脊，光就被限制在脊内传输。脊的宽度决定单模还是多模，做得太宽会出高阶模，太窄损耗变大，通常设计在2-4微米范围内。刻蚀深度和侧壁垂直度对损耗影响很大，侧壁粗糙会造成散射损耗，刻蚀过头则会破坏有源区。这一步需要刻蚀设备的均匀性和工艺窗口长期的经验积累。
再往后是介质膜与电极。输入端的增透膜在这时候一起做，反射率目标控制在0.1%以下，这是防止芯片变成微型激光器的关键之一。EAM的高频电极设计成GSG共面波导结构，让射频信号以微波传输线的方式馈入，尽量减少寄生电感和电容。SOA区做p型和n型欧姆接触电极，电流注入要尽量均匀，电流拥挤会导致局部发热和增益不均匀。
最后才是解理、镀高反膜、端面检测和封装。封装时要把芯片贴到热沉上，用金丝键合连接射频走线，如果速率要求更高，还会考虑倒装焊来缩短键合距离。这四步翻下来，单片集成远不是“长了两个器件”那么简单，跟普通的激光器芯片比，无论工艺步骤数还是工艺窗口的收窄程度，都是指数级的提升。
4. 测试与数据解读
4.1 先看静态参数
拿到样片，第一步测的是静态特性。这里要说明的是，不同折射率设计的芯片，具体数值会有差异，我先讲测试思路，再给一些典型的参考范围。
反射式器件的静态测试跟普通透射器件不太一样，关键是搭一个“输入输出同端”的测试光路。从光纤出来的种子光经过环形器或者分束器，对准芯片输入端；芯片反射出来的光再沿原路返回，被环形器的另一个端口引到功率计或者光谱仪上。通过调换光源波长和偏置条件，就能得到一系列参数。
最有价值的静态参数有三个：一是不同EAM反偏电压下的反射光功率曲线，这条曲线的“开/关”对比度就是直流消光比，通常要求做到10dB以上，往返式EAM做起来相对轻松；二是SOA的增益谱，用宽谱光源加光谱仪扫一遍，能看到增益峰的波段范围，评估能不能覆盖系统要求的无色窗口（比如覆盖C波段的大部分区域）；三是ASE谱，看SOA自发辐射噪声的强度和谱形，因为ASE会直接决定上行信号的信噪比下限。还有一项反射谱，用来检查输入端增透膜的质量——如果反射谱有明显的周期性起伏，说明芯片内腔已经在产生法布里-珀罗干涉了。
4.2 再看10.7 Gb/s的动态表现
动态测试是验证能否跑10.7G的关键环节，这里要考察的是完整收发链路，不只是芯片本身。先用误码仪（BERT）产生PRBS伪随机码型，码型长度通常从2^7-1到2^31-1都扫一下，前者代表短突发模式，后者更贴近真实业务流的随机性，对均衡和低纹波要求更高。信号经过驱动放大器，加到芯片的EAM电极上；光路上，种子光由可调激光器提供，经环形器注入芯片，反射回来之后送入高灵敏度光接收机，恢复出电信号送到BERT做误码判决。
测试项目里最重要的三项是：眼图、误码率曲线（BER曲线）、以及动态消光比。眼图要开到10.7G的速率档来看，观察信号的张开度、交叉点、上升沿和下降沿。一套合格的模块，眼图应该张得开，交叉点高度适中，眼图上的噪声条纹不能糊成一片。BER曲线则是衡量系统裕量的关键——把接收光功率从高往低扫，记下每个功率点对应的误码率，画成一条瀑布曲线。理想的瀑布曲线应该陡峭下降，没有error floor（误码地板）。如果曲线在某一个光功率上突然掉不下去，说明芯片内部有额外的噪声源或者反射干扰，需要回头查反射镜质量和SOA偏置点。
动态消光比跟静态消光比不是一回事，因为在高速驱动下，EAM的电容、寄生电感和载流子响应都会拖慢开关速度，实际可用的消光比往往比直流条件下要低几个dB。10.7G速率下，动态消光比能做到8dB以上就算相当不错了，这个数字直接影响到系统的接收功率代价。
4.3 温度与波长扫描下的稳定性
无色ONU最怕温度漂移。芯片内部的SOA是耗电大户，整个芯片的温度升高后，量子阱的增益峰会向长波长方向漂移，EAM的吸收边也会跟着移动，如果种子光的波长恰好落在吸收边附近，温度一变化，消光比可能就从10dB掉到6dB。
所以做温度扫描测试，要围绕两方面展开：一是芯片自身在0℃到70℃范围、不同TEC设定值下的性能变化，观察最优SOA偏置电流、EAM偏置电压是否需要用查表方式来补偿；二是对工作波长的敏感性——把种子光波长从1540nm扫到1560nm，记录消光比和BER的波动范围。理想情况下，芯片应该在几十纳米的波长窗口内保持性能相对稳定，这也是“无色”在物理层面的要求。如果做不出这个宽容度，那么所谓的无色就只能停留在窄带范围内，系统的价值就大打折扣。
5. 从样品到系统的工程化问题
5.1 光反馈：来回反射是把双刃剑
我做这个方向最深的体会是——反射式器件的“反射”既是设计，也是魔咒。所有反馈式光路的问题都在于，光在芯片内部走了一个回路，只要增益够大，任何一丁点残余反射都可能引发自激振荡。
输入端增透膜反射率如果不够低，SOA的增益又很高，芯片就会形成一个虚拟的Fabry-Perot腔，光谱上出现周期性调制，干涉条纹导致误码率恶化。我在实际调试中遇到过一种非常隐蔽的现象：静态测试时一切正常，一旦把SOA电流加上去，动态眼图的噪声明显变大，怎么调驱动波形都没用。后来把光谱仪接上去一测，才发现输入端反射率超标，腔内的增益导致边模起振，信号被模竞争“撕裂”了。最后只能重新镀膜解决。
这类问题在测试阶段很难提前发现，一般的做法是：芯片贴片封装前先测量反射谱和ASE光谱，如果反射谱上波纹幅度超过0.5dB就要警惕。另外，在系统端，光纤端面或者光路里的分束器也可能引入额外的反射，所以环形器或波分元件的回损指标也要卡得比较严。
5.2 高频封装：调制器速率上不去的真凶
很多初做R-EAM的人会把性能瓶颈归结为芯片本身，但实战中，封装造成的带宽损失往往比芯片还要大。EAM本质上是一个电容性负载，如果射频馈线、键合金丝、焊盘引入的寄生电感过大，会跟器件电容形成谐振，直接压掉高频响应。
做高速封装，最直接的办法就是缩短键合距离，尽量用倒装焊替代金丝键合。金丝键合在10G这个量级还能凑合，但每增加一毫米键合丝，就会引入零点几nH的电感，在10.7G时对应的感抗不容忽视。倒装焊把芯片倒置焊到有共面波导的基板上，射频路径短、寄生参数小，能稳定支持更高的速率。再配合50欧姆终端匹配网络，把EAM的容性负载转换成一个相对平坦的频率响应。
调试时用矢量网络分析仪测S11（回波损耗）和S21（电光响应），如果看到某个频点有明显的凹陷，多半是寄生谐振，需要调整终端电阻或者键合线长度。这个环节做不细，再好的芯片也发挥不出来，属于典型的“设计决定上限、封装决定下限”。
5.3 偏振敏感性：无色模块绕不开的坎
量子阱器件的增益和吸收强度对偏振是敏感的，TE偏振和TM偏振的响应差异可以达到几个dB甚至更高。标准单模光纤里传输的光偏振状态是随机漂移的，这意味着如果芯片不做偏振管理，ONU反射回去的光功率和消光比都会随时间波动，这对系统来说是不可接受的。
实际工程中常用三种手段来应对。一种是在模块内部用保偏光纤配合偏振控制元件，保证进入芯片的光偏振始终对准TE方向，这是最直接的办法，但会增加封装复杂度和成本。第二种是做偏振不敏感的量子阱设计，比如利用拉伸应变和张应变组合的量子阱，让TE和TM的增益、吸收特性接近。第三种是做偏振分集光路，在芯片内部把TE和TM分到两个支路分别处理，再合路输出，这会更复杂，一般会在更后期、更高速率的方案里出现。对这个项目而言，第一、第二种手段在工程阶段最常见，评估芯片时也要把两种偏振下的性能差异当成必测项记录。
5.4 功率预算怎么算
最后落到系统层面，一个光器件能不能用，不是看单一指标多漂亮，而是看它在功率预算表里能不能立得住。我按常见的10G PON场景大致估算一下：
OLT发出种子光到ONU时，经过光纤和光分路器，假设到达芯片输入端的光功率在-15 dBm左右。芯片内部，SOA单程增益约15dB，EAM单程插损约6dB，反射镜损耗0.5dB，那么往返路径上信号光功率大致是：进来-15dBm，先经过SOA增益+15（0dBm），再过EAM损耗-6（-6dBm），反射损耗-0.5（-6.5dBm），再经过EAM损耗-6（-12.5dBm），再经过SOA增益+15（+2.5dBm），扣除输入输出耦合损耗约2dB，最终ONU反射输出的上行光功率大约在0dBm量级。
OLT接收机在10G速率下的灵敏度通常在-28dBm左右，中间最差情况扣掉上行光纤和光分路损耗10dB，接收端还能留出约18dB的裕量。这就是为什么R-EAM+SOA组合能成立的原因——往返增益叠加之后，预算真的算得下来。如果换成透射式结构，或者只做单程增益，损耗一扣，预算就非常紧张了。
写在最后的一点个人体会
做这类单片集成器件，技术深度和工程复杂度的叠加，远不是把两个成熟器件“捏”在一起那么简单。我自己在梳理这个项目时，最大的感受是“折中”两个字贯穿始终——量子阱设计要折中，器件长度要折中，SOA的增益和ASE要折中，甚至连芯片的成本和性能也要折中。起步阶段最值得投入精力的，不是追求某个参数的极致，而是先把“SOA增益、EAM消光比、反射镜质量、增透膜性能、高频封装”这几个基础环节都做到“不掉链子”，系统的整体性能才会浮现出来。
如果这个技术还能继续演进，我觉得方向很清晰：一个是往更高的速率走，配合更精细的封装和更快的驱动，把10.7G推到25G甚至50G；另一个是往集成度走，把无源波分元件也搬上芯片，把ONU的光路进一步简化。但不管怎么走，这一代R-EAM与SOA单片集成工作里积累的工艺和理解，都会是后面所有工作的地基。
