4.1 核心时序参数：
| 参数 | 全称 | 中文俗称 | 物理含义 |
|---|---|---|---|
| tRCD | RAS to CAS Delay | 行选通到列选通延迟 | 打开一行后，需要等多久才能访问该行的某一列 |
| tCL | CAS Latency | 列选通延迟（读延迟） | 发出读命令后，到第一个数据出现在数据总线上的时钟周期数 |
| tRP | Row Precharge Time | 行预充电时间 | 关闭当前行，准备打开下一行所需的时间 |
| tRAS | Row Active Time | 行激活时间 | 一行从激活到关闭，必须保持活跃的最短时间 |
tRCD：说白了，就是“开门”到“找东西”之间的等待时间。你打开了一个房间（行），但你不能立刻去拿里面的东西（列），得等房间里的灯完全亮起来。这个等待就是tRCD。我在一个低功耗项目里遇到过，为了省电把tRCD压得太低，结果读出来的数据全是错的。嗯，那一次教训挺深刻。
tCL：这是DDR性能最直接的体现。tCL越小，读数据越快。但要注意，tCL不是你想设多小就设多小，它跟频率强相关。频率越高，tCL的绝对值（纳秒）可以不变，但时钟周期数必须增加。比如DDR4-3200的tCL通常是22或24，而DDR5-6400的tCL可能是40甚至更高。别一看数字大了就觉得性能差了，你得算实际时间。
tRP：这个参数经常被忽略。你读完一
