1. 引言
异质结（Heterojunction，简称 HJT）太阳能电池，是近年来光伏行业备受关注的高效电池技术路线之一。它通过在晶体硅衬底上沉积非晶硅薄膜，形成具有优异钝化效果的异质结结构，从而显著降低载流子复合损失，实现更高的转换效率。与传统的 PERC（钝化发射极背面电池）技术相比，HJT 电池在效率上限、温度系数、双面率以及工艺流程等方面展现出独特优势，被视为下一代高效光伏电池的重要方向。
2. 什么是异质结（HJT）
2.1 基本概念
异质结是指由两种不同带隙的半导体材料形成的 PN 结。在 HJT 电池中，通常采用 n 型单晶硅作为衬底，在其正面和背面分别沉积本征非晶硅层（i-a-Si:H）和掺杂非晶硅层（p-a-Si:H / n-a-Si:H），从而形成对称的异质结结构。
2.2 结构组成
HJT 电池的典型结构自内向外依次为：
- n 型硅衬底：作为吸收层，提供长载流子寿命和高体电阻率。
- 本征非晶硅钝化层（i-a-Si:H）：位于硅衬底与掺杂层之间，起到优异的表面钝化作用，大幅降低界面态密度。
- 掺杂非晶硅层：正面为 p 型非晶硅，背面为 n 型非晶硅，形成发射极和背场。
- 透明导电氧化物（TCO）层：如 ITO（氧化铟锡），用于横向传输载流子并减少遮光损失。
- 金属电极：通常采用丝网印刷低温银浆或电镀铜电极。
3. HJT 电池的工作原理
HJT 电池的核心工作原理与传统同质结电池类似，均基于光生伏特效应。当太阳光照射电池时，硅衬底吸收光子并产生电子-空穴对。由于异质结界面处存在内建电场，光生载流子被分离并分别向两侧电极迁移，从而在外电路中形成电流。
其独特之处在于：
- 本征非晶硅层的钝化作用：非晶硅与晶体硅之间的界面缺陷密度极低，有效抑制了载流子在表面的复合，从而获得更高的开路电压（Voc）。
- 对称结构设计：正背面均采用对称的钝化与掺杂结构，使得 HJT 电池天然具备双面发电能力。
- 低温工艺：整个制备过程温度不超过 200°C，避免了高温工艺对硅片体寿命的损伤。
4. HJT 电池的主要优势
4.1 转换效率高
HJT 电池的量产效率普遍可达 24% 以上，实验室效率已突破 26%。其开路电压可超过 740 mV，远高于 PERC 电池的 680 mV 左右。
4.2 温度系数低
HJT 电池的温度系数约为 -0.24%/°C，优于 PERC 的 -0.34%/°C。在高温环境下，HJT 电池的发电量损失更小，尤其适合炎热地区的光伏电站。
4.3 双面率高
得益于对称结构，HJT 电池的双面率可达 90% 以上，而 PERC 电池通常在 70% 左右。双面发电可显著提升电站的整体发电收益。
4.4 工艺流程短
HJT 电池的核心工艺仅需四步：制绒清洗、非晶硅沉积、TCO 镀膜、金属化。相比 PERC 的十余道工序，HJT 的产线更简洁，良率控制更容易。
4.5 衰减率低
HJT 电池采用 n 型硅片，不存在硼氧复合导致的 LID（光致衰减）问题，同时 LeTID（热辅助光致衰减）也得到有效抑制，长期发电稳定性更好。
5. HJT 电池的制备工艺流程
HJT 电池的制备流程主要包括以下步骤：
- 硅片清洗与制绒：对 n 型硅片进行清洗和表面织构化处理，形成金字塔绒面，降低反射率。
- 非晶硅薄膜沉积：采用 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备，在硅片正背面依次沉积本征非晶硅和掺杂非晶硅薄膜。
- TCO 透明导电层镀膜：使用 PVD（物理气相沉积）或 RPD（反应等离子体沉积）设备，在两侧沉积 ITO 等透明导电氧化物。
- 金属电极制备：通过丝网印刷低温银浆或电镀铜工艺形成栅线电极，随后进行低温固化。
