导语
对于材料研究者而言，数小时乃至数天的管式炉烧结是家常便饭。如何打破这一效率瓶颈，并在此过程中精准调控材料的本征结构，是陶瓷制备领域的前沿挑战。聚合物衍生陶瓷技术虽前景广阔，却长期受制于传统热解工艺的缓慢动力学。
近日，中国科学院化学研究所张宗波研究员与罗永明研究员团队在《ACS Omega》上发表了题为“Crystallization Behavior of Polycarbosilane Derived SiC Ceramics with Ultra-Fast Joule Thermal Shock”的研究论文。该团队另辟蹊径，采用一种革命性的“焦耳热冲击”技术，将聚碳硅烷前驱体在1秒之内快速转化为碳化硅陶瓷。这项研究的关键技术设备，由深圳中科精研科技有限公司研发提供。研究表明，这种“秒级”超快热过程非但没有降低产物质量，反而诱导出传统方法无法实现的独特微观结构：SiC晶粒尺寸增大超60%，并呈现独特的“双峰分布”。这项突破不仅展示了一种前所未有的高效制备路径，更开辟了一条通过极端动力学过程调控陶瓷结晶行为的新赛道。
研究核心亮点
⚡ 效率革命：将传统以“小时”计的陶瓷化过程，压缩至“1秒”内完成，实现了数量级上的效率飞跃。
🔬 结构创新：在相同温度（1400°C）下，焦耳热冲击制备的SiC晶粒尺寸达到6.6 nm，显著优于传统管式炉的4.1 nm，增幅超60%。
🎯 机制独特：超快过程抑制了有序石墨碳形成，促进了缺陷碳结构生成，减弱了碳对晶粒生长的限制；同时，“局部热点”效应导致了晶粒尺寸的“双峰分布”。
🔧 设备支撑：研究成功实施的关键在于采用了可编程控制、温度均一的高性能焦耳热冲击设备，为结果的可靠性与可重复性提供了坚实保障。
图文解析
图1：1秒陶瓷化：焦耳热冲击装置与瞬时高温过程
本图直观揭示了整个研究的核心——“1秒陶瓷化”是如何实现的。示意图（图1a）显示，前驱体聚合物被涂覆在导电碳纤维基底上并连接电极。当施加电脉冲时，基底产生焦耳热，使样品在毫秒级时间内（单次脉冲约500毫秒）迅速升至目标高温（图1d）。图1b的光学照片生动捕捉了样品在热冲击瞬间发出的炽热亮光与常温状态的对比，而热成像图证实了加热区域的温度均匀性。这套由中科精研提供的定制化焦耳热冲击系统（型号：HTS-7026D，实现了对温度、脉冲时间和循环次数的精准编程控制，是完成后续所有结构调控研究的基础。
图2 & 图3：从聚合物到陶瓷：快速转变与结晶促进
图2通过核磁与红外光谱证实，经过焦耳热冲击后，前驱体的有机特征峰完全消失，转变为非晶SiC的宽吸收带，标志着聚合物到陶瓷的快速、完全转变。
图3的XRD数据则带来了第一个关键发现：与传统管式炉样品相比，在相同温度下，焦耳热冲击样品的SiC衍射峰强度更高、峰宽更窄。通过谢乐公式计算，1400°C下焦耳热冲击样品的晶粒尺寸达到6.6 nm，而管式炉样品仅为4.1 nm。更有趣的是，对衍射峰进行精细拟合（图3e）发现，焦耳热冲击样品需要“双峰”才能完美拟合，这暗示了材料内部存在着尺寸差异显著的两类晶粒。
图4 & 图7：微观世界揭秘：TEM下的“双峰”晶粒与独特缺陷
XRD的推测在电镜下得到了完美验证。图4的HRTEM图像清晰显示，样品中同时存在约6 nm的小晶粒和约13 nm的大晶粒，形成了独特的“双峰”分布。这正是图3中XRD双峰拟合的直观体现。研究团队将其归因于焦耳热冲击过程中难以避免的“局部热点”效应——某些微小区域经历了瞬时更高温度，促进了碳热还原反应和晶粒的异常长大。
图7的系列TEM则系统展示了随着冲击温度升高，SiC晶格条纹从模糊到清晰、晶粒逐渐长大的完整演化过程。
图5 & 图6：“缺陷碳”的关键角色：拉曼与XPS深度分析
为什么超快加热反而能促进晶粒长大？图5的拉曼光谱提供了核心线索：焦耳热冲击样品的D峰与G峰强度比显著更高，表明其内部的自由碳具有更高度的无序结构和缺陷密度。
图6的XPS精细谱进一步定量证实，焦耳热冲击样品中C-C键的比例更高。这些“缺陷碳”结构（而非有序石墨碳）对SiC晶粒生长的钉扎抑制作用更弱，从而在超快高温下“解放”了晶粒，使其得以快速生长。这从化学键层面阐释了晶粒尺寸激增的深层原因。
图8：性能关联：结构调控影响抗氧化行为
独特的结构必然带来独特的性能。图8的热重分析表明，富含缺陷碳的焦耳热冲击样品，在空气气氛中氧化增重更为明显，起始氧化温度也更低。这说明，为促进晶粒生长而引入的高缺陷碳结构，在一定程度上成为了氧气扩散的快速通道，牺牲了部分抗氧化性。这清晰地揭示了材料微观结构与其宏观性能之间的内在联系，也为未来通过工艺优化平衡“结晶度”与“抗氧化性”提供了明确方向。
总结与展望
本研究极具启发性地证明，“焦耳热冲击”绝非仅仅是传统烧结在时间尺度上的简单加速，而是一种能够颠覆材料结晶动力学、创造新奇微观结构的强力物理工具。它通过创造极端的非平衡条件，迫使材料沿着一条不同于热力学平衡路径的方向演化，从而得到晶粒更粗大、碳结构更缺陷化的SiC陶瓷。
这项工作具有双重重要意义：在科学上，它系统揭示了超快热解过程中，缺陷碳与晶粒生长、局部热点与晶粒分布之间的内在调控规律；在技术上，它验证了焦耳热冲击作为一种高效、节能的先进陶瓷制备平台的巨大潜力，相关设备与工艺已展现出成熟的可靠性。
展望未来，这一“秒级”合成范式极具拓展性：
材料体系拓展：可立即应用于其他硅基、硼基前驱体，探索制备更复杂的非氧化物陶瓷。
结构精准设计：通过调控脉冲波形、气氛等，有望实现对“缺陷碳”类型与含量、“双峰”晶粒尺寸比例的更精细操控。
性能综合优化：在促进结晶的同时，可探索引入原位涂层或二次处理，弥补由缺陷碳带来的抗氧化性短板，制备综合性能更优的部件。
这项研究标志着，陶瓷材料的制备正从“慢工出细活”的平衡态思维，大步迈向“瞬态创生”的非平衡态设计新时代。
文献信息
Chen, C.; Luo, Y.; Li, P.; Li, Y.; Zhang, Z.; Xu, C. Crystallization Behavior of Polycarbosilane Derived SiC Ceramics with Ultra-Fast Joule Thermal Shock.ACS Omega2026, *1*(1), 100-110. DOI: 10.1021/acsomega.5c11594.
