摘要：
三极管（BJT）是一种双极型半导体器件，具有电流放大和开关功能，是电子电路的基础元件。其核心结构由NPN或PNP型三层半导体构成，包含基极、集电极和发射极三个电极。工作原理基于发射结正偏、集电结反偏条件下，通过基极电流控制集电极电流。三极管有三种工作区域（放大、饱和、截止）和三种组态电路（共射、共集、共基），分别适用于不同应用场景，如信号放大、开关控制、振荡调制等。其特性曲线和参数决定了电路性能，广泛应用于模拟和数字电路中。
三极管篇
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三极管（Bipolar Junction Transistor，BJT）是一种双极型半导体器件，核心作用是电流放大或电子开关，是模拟电路和数字电路的基础元件之一。
作用：“用很小的基极电流 IB，去‘撬动’一个很大的集电极电流 IC，撬动比例叫 β（hFE），而 IC 与 IB 的关系由基区少子扩散决定，与 CB 结电压几乎无关。”
1、三极管核心结构
三层半导体：
由 N 型和 P 型半导体交替组成，分为 NPN型 和 PNP型 两种，核心区别在于电流流向和偏置电压极性。
三个电极：
基极（B）：控制极，输入小电流控制输出大电流。
集电极（C）：收集载流子的电极，通常接高电位。
发射极（E）：发射载流子的电极，通常接低电位。
两个PN结：
发射结：基极与发射极之间的 PN 结。
集电结：基极与集电极之间的 PN 结。
分类：
NPN与PNP两种类型：规定箭头由E极(发射极)流向B极(基极)的为PNP型三极管，反之为NPN型三极管。
压降：硅(0.60.7V) 锗(0.20.3)
这就是“发射极注入、基极控制、集电极收集”的物理舞台。
2、三极管工作原理（以 NPN 型为例）
三极管工作需满足正向偏置发射结、反向偏置集电结的条件：
一、发射结正偏时，发射区的自由电子大量注入基区。
二、基区极薄且掺杂浓度低，只有少量电子与基区空穴复合，形成基极电流Ib。
三、大部分电子扩散到集电结边缘，集电结反偏产生强电场，将电子拉向集电区，形成集电极电流Ic。
四、电流关系：Ie=Ic+Ib，且
