news 2026/4/28 17:30:23

典型的IGBT/MOSFET 加速关断驱动电路

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张小明

前端开发工程师

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文章封面图
典型的IGBT/MOSFET 加速关断驱动电路

电路作用分析

这是一个典型的IGBT/MOSFET 加速关断驱动电路,核心作用是通过加速功率管的关断过程,来降低开关损耗、抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI)。

  1. 驱动逻辑

    • 开通阶段:控制 IC 输出高电平 PWM 信号,通过电阻 Rg1 为栅极提供正向驱动电流。此时二极管 D1 反向截止,Rg2 不参与开通过程,Rg1 的阻值决定了开通速度。
    • 关断阶段:控制 IC 输出低电平,栅极电荷通过两条路径泄放:一条是 Rg1,另一条是 D1 和 Rg2 并联的支路。由于 D1 导通时压降很小,Rg2 通常比 Rg1 阻值更小,因此能提供更大的反向驱动电流,显著加快栅极电荷的泄放速度,让功率管更快进入截止状态。
  2. 关键优势

    • 降低开关损耗:功率管关断时间越短,在高电压、大电流交叠区的时间就越短,从而减少了关断损耗。
    • 抑制电压尖峰:快速关断可以减小功率管的 di/dt 变化,从而抑制由线路寄生电感引发的电压尖峰(V=L×di/dt),提升电路可靠性
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