MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代集成电路的核心器件，其性能直接决定电路的能效与可靠性。理想状态下，MOSFET关断时应无电流泄漏，但受量子效应、材料特性及工艺限制，实际器件中存在多种漏电现象。这些漏电流不仅会增加静态功耗、缩短电池供电设备的续航时间，还可能影响电路的稳定性与信号完整性。本文将系统解析MOSFET的核心漏电类型、形成机制及关键特性。
从物理机制来看，MOSFET的漏电流主要源于载流子的隧穿、扩散及复合等过程，结合发生位置与诱因，可分为以下五大核心类型。
一、反向偏置结漏电流：PN结的固有泄漏
反向偏置结漏电流是MOSFET中最基础的漏电类型，发生在源极/漏极与衬底（或阱）形成的PN结处。当MOSFET关断时，源极、漏极与衬底间的PN结处于反向偏置状态，理论上应无明显电流，但实际因载流子的扩散、漂移及复合过程，会产生微弱漏电流。
其形成主要包含两个核心部分：一是耗尽区边缘少数载流子的扩散与漂移电流，反向偏置电场会将耗尽区中的少数载流子扫向对方区域，形成持续的微弱电流；二是耗尽区内部的电子-空穴对产生电流，热力学激发下，耗尽区中的共价键会断裂产生电子-空穴对，这些载流子被电场分离后形成电流。此外，在重掺杂的PN结区域，还可能出现带间隧穿（BTBT）现象，进一步增大漏电流。
值得注意的是，反向偏置结漏电流的数值相对较小，通常远低于其他漏电分量，在多数常规电路中影响有限，但在低温、低功耗场景下仍需纳入考量，且其对温度极为敏感，温度升高时会呈指数级增长。
二、亚阈值漏电流：关断状态的“隐形功耗源”
亚阈值漏电流是指栅源电压（V）低于阈值电压（V）、器件未完全导通（处于弱反型状态）时，源极与漏极之间通过沟道的微弱电流，其本质是沟道中少数载流子的扩散电流。在现代CMOS工艺中，亚阈值漏电流是静态功耗的主要来源，
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