你这个现象（S3 + Deep-sleep + EXT1 电平唤醒后功耗到 ~130 µA 量级）很常见，通常不是“CPU没睡”，而是EXT1 把 GPIO 作为 RTC IO 输入在工作，再叠加IO电平不够“干净”（靠 300k 下拉太弱、落在阈值附近）或某些 IO/外设漏电，就会到 100µA+。
下面给你一套“最有效、最容易验证”的降功耗路线（按收益从大到小）：
1) 先确认：是不是 EXT1 把你拉到更高的 Deep-sleep 子模式
ESP32-S3 的 Deep-sleep 有子模式；文档明确提到：当使用“RTC IO 作为输入”等特性时，芯片无法进入更极限的 ultra low 模式，功耗会更高。
而 EXT1 恰好就是用 RTC 控制器监测 RTC IO 输入（并且会在 RTC 外设断电时用 HOLD 锁住管脚状态来保证唤醒仍可用）。
👉 这意味着：如果你必须用 EXT1 电平唤醒，S3 的 deep-sleep 电流比 ESP32 经典款更高是有可能“正常”的，你要靠“把 IO 状态做到最省电”去抠下来。
2) 300k 下拉太弱：很容易把 GPIO6 拉到“半高不高”的模拟阈值区
你自己也测到了：
GPIO6 直接短地：130 µA
GPIO6 300k 下拉：160 µA（更高）
这非常像管脚在 deep-sleep 时被内部/外部漏电“顶起来”，300k 压不住，电压落在输入阈值附近 →输入缓冲/比较器附近抖动，电流上去。
✅ 建议你直接试两种之一（都很常用）：
把外部下拉改成 47k~100k（先用 47k 最稳）
或者不用外部下拉，改用 RTC 内部下拉 + HOLD（见下面代码）
3) 关键软件配置：用 RTC IO 下拉 + HOLD（别只看你贴的 IO DUMP）
你贴的 IO DUMP（Pullup=0 Pulldown=0 InputEn=0…）多半是数字 GPIO 域的状态；而 EXT1 会把 pad 配到RTC IO 域，数字域 dump 往往不代表最终睡眠态。文档也强调 EXT1 会把 IO pad 配成 RTC IO。
你可以按下面方式把 GPIO6 在睡眠前固定成“省电的低电平输入 + 下拉 + HOLD”：
#include "esp_sleep.h"
#include "driver/rtc_io.h"
#define WAKE_GPIO GPIO_NUM_6
void go_sleep(void)
{
// 1) 把 GPIO6 走 RTC IO 配置（EXT1 会用到 RTC IO）
rtc_gpio_init(WAKE_GPIO);
rtc_gpio_set_direction(WAKE_GPIO, RTC_GPIO_MODE_INPUT_ONLY);
// 2) 关上拉、开下拉（让它在睡眠里稳稳为低）
rtc_gpio_pullup_dis(WAKE_GPIO);
rtc_gpio_pulldown_en(WAKE_GPIO);
// 3) EXT1：ANY_HIGH 唤醒
esp_sleep_enable_ext1_wakeup_io(1ULL << WAKE_GPIO, ESP_EXT1_WAKEUP_ANY_HIGH);
// 4) 不需要 RTC memory 的话，关掉（只能省一点点，但建议做）
esp_sleep_pd_config(ESP_PD_DOMAIN_RTC_SLOW_MEM, ESP_PD_OPTION_OFF);
esp_sleep_pd_config(ESP_PD_DOMAIN_RTC_FAST_MEM, ESP_PD_OPTION_OFF);
esp_deep_sleep_start();
}
文档说明：EXT1 即使 RTC 外设断电也能唤醒，因为 IDF 会在入睡前把唤醒脚状态锁住（HOLD）并在唤醒后解除。
也说明了：关 RTC_PERIPH 时会用 HOLD 维持上下拉，这还“有助于进一步减小睡眠功耗”。
4) 把“其它 IO 漏电”抠掉：rtc_gpio_isolate 很有用
很多时候你看到的 100µA+ 并不是唤醒脚本身，而是其它 IO 还连着外设/电阻网络，睡眠时内部上下拉或外设 ESD 路径形成漏电。
ESP-IDF 文档明确建议：Deep-sleep 下可以isolate 一些 IO 来进一步降电流，用rtc_gpio_isolate()可以关掉该脚的输入输出/上下拉以避免漏电。
✅ 做法（思路）：
除了 GPIO6 以外，把**所有“连到外设/有上下拉/有电平”的 RTC IO（0~21）**逐个 isolate 测电流，找到“罪魁祸首”那几根。
注意别 isolate 你真正需要保持状态的脚（比如电源使能脚）。
5) 兼容性坑：某些 IDF 版本/特定 GPIO 上，EXT1 会让管脚在 deep-sleep 出现“被抬高”导致额外耗电
社区里确实出现过类似现象：升级 IDF 后 deep-sleep 从 ~20µA 变 ~131µA，定位到EXT1 使某个 GPIO 在 deep-sleep 被抬到 ~0.79V/1.12V，如果外部有下拉就会额外耗电。
✅ 你可以快速验证是不是同类问题：
只保留最小程序：enable ext1 → deep_sleep
deep-sleep 时用万用表量 GPIO6 电压（配 47k 下拉更好观察）
若你看到0.5~1.2V 这种“悬空偏置”，优先：
换一个 RTC IO 做 EXT1（比如 7/8/9…）对比电流
或升级到更新的 ESP-IDF 分支/patch 版本再测
你现在这组数据我会怎么判断
130µA（短地）已经说明：基础电流不低，不只是“300k 下拉电阻的电流”（300k 对 3.3V 也就 11µA）。
300k 下拉更高，强烈暗示：GPIO6 在睡眠态可能被“顶到阈值附近”或有漏电路径，300k 压不住 → 额外耗电。
